دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

K4H561638J LC/B3
K4H561638J LC/B3
مقدار حافظه 256 مگا بیت
سازمان 16M x 16
بیشترین فرکانس کاری 166 مگا هرتز
زمان دسترسی 7 نانو ثانیه
عرض گذرگاه داده 16 بیت
نوع DDR SDRAM
نوع نصب روی برد SMD/SMT
بیشترین ولتاژ تغذیه 2.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
برند Samsung Electronics
پکیج TSOP-66
Memory Size 256 Mbit
Organization 16M x 16
Maximum Clock Frequency 166 MHz
Access Time 7 ns
Data Bus Width 16 bit
Type DDR SDRAM
Mounting Style SMD/SMT
Supply Voltage (Max) 2.5 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature +70 C°
Brand Samsung Electronics
Package TSOP-66
سازمان 16M x 16
بیشترین فرکانس کاری 166 مگا هرتز
زمان دسترسی 7 نانو ثانیه
عرض گذرگاه داده 16 بیت
نوع DDR SDRAM
نوع نصب روی برد SMD/SMT
بیشترین ولتاژ تغذیه 2.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
برند Samsung Electronics
پکیج TSOP-66
Memory Size 256 Mbit
Organization 16M x 16
Maximum Clock Frequency 166 MHz
Access Time 7 ns
Data Bus Width 16 bit
Type DDR SDRAM
Mounting Style SMD/SMT
Supply Voltage (Max) 2.5 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature +70 C°
Brand Samsung Electronics
Package TSOP-66