دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

K4S561632B TC75
K4S561632B TC75
مقدار حافظه 256 مگا بیت
سازمان 16M x16
بیشترین فرکانس کاری 133 مگا هرتز
زمان دسترسی 5.4 نانو ثانیه
عرض گذرگاه داده 16 بیت
نوع Synchronous Dynamic RAM
نوع نصب روی برد SMD/SMT
بیشترین ولتاژ تغذیه 3.6 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
برند Samsung Electronics
پکیج TSOP-54
Memory Size 256 Mbit
Organization 16M x16
Maximum Clock Frequency 133 MHz
Access Time 5.4 ns
Data Bus Width 16 bit
Type Synchronous Dynamic RAM
Mounting Style SMD/SMT
Supply Voltage (Max) 3.6 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature +70 C°
Brand Samsung Electronics
Package TSOP-54
سازمان 16M x16
بیشترین فرکانس کاری 133 مگا هرتز
زمان دسترسی 5.4 نانو ثانیه
عرض گذرگاه داده 16 بیت
نوع Synchronous Dynamic RAM
نوع نصب روی برد SMD/SMT
بیشترین ولتاژ تغذیه 3.6 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
برند Samsung Electronics
پکیج TSOP-54
Memory Size 256 Mbit
Organization 16M x16
Maximum Clock Frequency 133 MHz
Access Time 5.4 ns
Data Bus Width 16 bit
Type Synchronous Dynamic RAM
Mounting Style SMD/SMT
Supply Voltage (Max) 3.6 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature +70 C°
Brand Samsung Electronics
Package TSOP-54