دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

2SC3133
2SC3133
فرکانس 27 مگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 25 ولت
جریان کلکتور 6 آمپر
بهره تقویت 50
نوع پیکربندی Single
ولتاژ پایه امیتر 5 ولت
اتلاف قدرت 20 وات
نوع Epitaxial Planar Type Transistors
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Mitsubishi Electric
پکیج TO-220
Frequency 27 MHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 25 V
DC Collector Current 6 A
Gain-hfe 50
Configuration Single
Emitter-Base Voltage (VEBO) 5 V
Power Dissipation 20 W
Type Epitaxial Planar Type Transistors
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -55 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Mitsubishi Electric
Package TO-220
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 25 ولت
جریان کلکتور 6 آمپر
بهره تقویت 50
نوع پیکربندی Single
ولتاژ پایه امیتر 5 ولت
اتلاف قدرت 20 وات
نوع Epitaxial Planar Type Transistors
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Mitsubishi Electric
پکیج TO-220
Frequency 27 MHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 25 V
DC Collector Current 6 A
Gain-hfe 50
Configuration Single
Emitter-Base Voltage (VEBO) 5 V
Power Dissipation 20 W
Type Epitaxial Planar Type Transistors
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -55 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Mitsubishi Electric
Package TO-220