دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

TMM416P 3
TMM416P 3
مقدار حافظه 16 کیلو بیت
سازمان 16384 x 1bit
زمان دسترسی 200 نانو ثانیه
عرض گذرگاه داده 1 بیت
نوع Dynamic RAM
نوع نصب روی برد Through Hole
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج DIP-16
Memory Size 16 kbit
Organization 16384 x 1bit
Access Time 200 ns
Data Bus Width 1 bit
Type Dynamic RAM
Mounting Style Through Hole
Supply Voltage (Max) 5.5 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature +70 C°
Brand Toshiba Corporation
Package DIP-16
سازمان 16384 x 1bit
زمان دسترسی 200 نانو ثانیه
عرض گذرگاه داده 1 بیت
نوع Dynamic RAM
نوع نصب روی برد Through Hole
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج DIP-16
Memory Size 16 kbit
Organization 16384 x 1bit
Access Time 200 ns
Data Bus Width 1 bit
Type Dynamic RAM
Mounting Style Through Hole
Supply Voltage (Max) 5.5 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature +70 C°
Brand Toshiba Corporation
Package DIP-16