دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

HY53C256LS
HY53C256LS
مقدار حافظه 256 کیلو بیت
سازمان 262144 X 1bit
عرض گذرگاه داده 1 بیت
زمان دسترسی 100 نانو ثانیه
نوع Dynamic RAM
نوع نصب روی برد Through Hole
بیشترین ولتاژ تغذیه 5 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
برند Hyundai Semiconductor
پکیج DIP-16
Memory Size 256 kbit
Organization 262144 X 1bit
Data Bus Width 1 bit
Access Time 100 ns
Type Dynamic RAM
Mounting Style Through Hole
Supply Voltage (Max) 5 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature +70 C°
Brand Hyundai Semiconductor
Package DIP-16
سازمان 262144 X 1bit
عرض گذرگاه داده 1 بیت
زمان دسترسی 100 نانو ثانیه
نوع Dynamic RAM
نوع نصب روی برد Through Hole
بیشترین ولتاژ تغذیه 5 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
برند Hyundai Semiconductor
پکیج DIP-16
Memory Size 256 kbit
Organization 262144 X 1bit
Data Bus Width 1 bit
Access Time 100 ns
Type Dynamic RAM
Mounting Style Through Hole
Supply Voltage (Max) 5 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature +70 C°
Brand Hyundai Semiconductor
Package DIP-16