دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

41256 DRAM
41256 DRAM
مقدار حافظه 256 کیلو بیت
سازمان 262144 x 1bit
بیشترین فرکانس کاری 1 مگا هرتز
زمان دسترسی 150 نانو ثانیه
عرض گذرگاه داده 1 بیت
نوع Dynamic RAM
نوع نصب روی برد Through Hole
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج DIP-16
Memory Size 256 kbit
Organization 262144 x 1bit
Maximum Clock Frequency 1 MHz
Access Time 150 ns
Data Bus Width 1 bit
Type Dynamic RAM
Mounting Style Through Hole
Supply Voltage (Max) 5.5 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature +70 C°
Brand Toshiba Corporation
Package DIP-16
سازمان 262144 x 1bit
بیشترین فرکانس کاری 1 مگا هرتز
زمان دسترسی 150 نانو ثانیه
عرض گذرگاه داده 1 بیت
نوع Dynamic RAM
نوع نصب روی برد Through Hole
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +70 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج DIP-16
Memory Size 256 kbit
Organization 262144 x 1bit
Maximum Clock Frequency 1 MHz
Access Time 150 ns
Data Bus Width 1 bit
Type Dynamic RAM
Mounting Style Through Hole
Supply Voltage (Max) 5.5 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature +70 C°
Brand Toshiba Corporation
Package DIP-16