دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

BSM50GB120DN2
BSM50GB120DN2
ولتاژ کلکتور-امیتر 1200 ولت
جریان کلکتور 78 آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 2.5 ولت
نوع پیکربندی Half Bridge
اتلاف قدرت 400 وات
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Siemens Semiconductor Group
پکیج Module
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1200 V
DC Collector Current 78 A
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Configuration Half Bridge
Power Dissipation 400 W
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Siemens Semiconductor Group
Package Module
جریان کلکتور 78 آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 2.5 ولت
نوع پیکربندی Half Bridge
اتلاف قدرت 400 وات
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Siemens Semiconductor Group
پکیج Module
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1200 V
DC Collector Current 78 A
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.5 V
Configuration Half Bridge
Power Dissipation 400 W
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Siemens Semiconductor Group
Package Module