BFP182W

فرکانس 8 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
جریان کلکتور 35 میلی آمپر
ولتاژ کلکتور-امیتر 12 ولت
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 70
ولتاژ پایه امیتر 2 ولت
اتلاف قدرت 250 میلی وات
نوع Silicon Bipolar RF Transistors
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Infineon Technologies
پکیج SOT-343 (SC-61)
Frequency 8 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
DC Collector Current 35 mA
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12 V
Configuration Single
Gain-hfe 70
Emitter-Base Voltage (VEBO) 2 V
Power Dissipation 250 mW
Type Silicon Bipolar RF Transistors
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Infineon Technologies
Package SOT-343 (SC-61)