دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

GT60N321
GT60N321
جریان کلکتور 60 آمپر
ولتاژ کلکتور-امیتر 1000 ولت
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 1.6 ولت
حداکثر ولتاژ راه انداز امیتر 25 ولت
نوع پیکربندی Single
اتلاف قدرت 170 وات
نوع نصب روی برد Through Hole
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج TO-247AD (TO-3P)
DC Collector Current 60 A
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1000 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage 25 V
Configuration Single
Power Dissipation 170 W
Mounting Style Through Hole
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Toshiba Corporation
Package TO-247AD (TO-3P)
ولتاژ کلکتور-امیتر 1000 ولت
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 1.6 ولت
حداکثر ولتاژ راه انداز امیتر 25 ولت
نوع پیکربندی Single
اتلاف قدرت 170 وات
نوع نصب روی برد Through Hole
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج TO-247AD (TO-3P)
DC Collector Current 60 A
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1000 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage 25 V
Configuration Single
Power Dissipation 170 W
Mounting Style Through Hole
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Toshiba Corporation
Package TO-247AD (TO-3P)