دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

GT30J322
GT30J322
ولتاژ کلکتور-امیتر 600 ولت
جریان کلکتور 30 آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 2.1 ولت
نوع پیکربندی Single
حداکثر ولتاژ راه انداز امیتر 20 ولت
اتلاف قدرت 75 وات
نوع نصب روی برد Through Hole
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج TO-247AD (TO-3P)
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600 V
DC Collector Current 30 A
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Configuration Single
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Power Dissipation 75 W
Mounting Style Through Hole
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Toshiba Corporation
Package TO-247AD (TO-3P)
جریان کلکتور 30 آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 2.1 ولت
نوع پیکربندی Single
حداکثر ولتاژ راه انداز امیتر 20 ولت
اتلاف قدرت 75 وات
نوع نصب روی برد Through Hole
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج TO-247AD (TO-3P)
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600 V
DC Collector Current 30 A
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.1 V
Configuration Single
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Power Dissipation 75 W
Mounting Style Through Hole
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Toshiba Corporation
Package TO-247AD (TO-3P)