BFU590G

فرکانس 900 مگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 16 ولت
جریان کلکتور 300 میلی آمپر
بهره تقویت 130
نوع پیکربندی Si
ولتاژ پایه امیتر 24 ولت
اتلاف قدرت 2000 میلی وات
نوع Wideband RF Transistor
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +150 درجه سانتیگراد
برند NXP Semiconductors
پکیج SOT-223
Frequency 900 MHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 16 V
DC Collector Current 300 mA
Gain-hfe 130
Configuration Si
Emitter-Base Voltage (VEBO) 24 V
Power Dissipation 2000 mW
Type Wideband RF Transistor
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +150 C°
Brand NXP Semiconductors
Package SOT-223