دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

BFQ790H6327XTSA1
BFQ790H6327XTSA1
فرکانس 1.85 گیگا هرتز
فن آوری Si
منفی یا مثبت NPN قطب
جریان کلکتور 300 میلی آمپر
ولتاژ کلکتور-امیتر 6.1 ولت
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 60
اتلاف قدرت 1.5 وات
نوع Silicon RF Transistors
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 105 درجه سانتیگراد
برند Infineon Technologies
پکیج SOT-89
Frequency 1.85 GHz
Technology Si
Polarity NPN Type
DC Collector Current 300 mA
Collector Emitter Voltage (VCEO) 6.1 V
Configuration Single
Gain-hfe 60
Power Dissipation 1.5 W
Type Silicon RF Transistors
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature 105 C°
Brand Infineon Technologies
Package SOT-89
فن آوری Si
منفی یا مثبت NPN قطب
جریان کلکتور 300 میلی آمپر
ولتاژ کلکتور-امیتر 6.1 ولت
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 60
اتلاف قدرت 1.5 وات
نوع Silicon RF Transistors
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 105 درجه سانتیگراد
برند Infineon Technologies
پکیج SOT-89
Frequency 1.85 GHz
Technology Si
Polarity NPN Type
DC Collector Current 300 mA
Collector Emitter Voltage (VCEO) 6.1 V
Configuration Single
Gain-hfe 60
Power Dissipation 1.5 W
Type Silicon RF Transistors
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature 105 C°
Brand Infineon Technologies
Package SOT-89