دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

K6T1008C2E DB70
K6T1008C2E DB70
مقدار حافظه 1 مگا بیت
سازمان 128K x 8
زمان دسترسی 70 نانو ثانیه
نوع نصب روی برد Through Hole
کمترین ولتاژ تغذیه 4.5 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 70 درجه سانتیگراد
برند Samsung Electronics
پکیج DIP-32
Memory Size 1 Mbit
Organization 128K x 8
Access Time 70 ns
Mounting Style Through Hole
Supply Voltage (Min) 4.5 V
Supply Voltage (Max) 5.5 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature 70 C°
Brand Samsung Electronics
Package DIP-32
سازمان 128K x 8
زمان دسترسی 70 نانو ثانیه
نوع نصب روی برد Through Hole
کمترین ولتاژ تغذیه 4.5 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 70 درجه سانتیگراد
برند Samsung Electronics
پکیج DIP-32
Memory Size 1 Mbit
Organization 128K x 8
Access Time 70 ns
Mounting Style Through Hole
Supply Voltage (Min) 4.5 V
Supply Voltage (Max) 5.5 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature 70 C°
Brand Samsung Electronics
Package DIP-32