دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

DS1225AB 200IND
DS1225AB 200IND
مقدار حافظه 64 کیلو بیت
سازمان 8 k x 8
زمان دسترسی 200 نانو ثانیه
عرض گذرگاه داده 8 بیت
انواع رابطها Parallel
نوع نصب روی برد Through Hole
کمترین ولتاژ تغذیه 4.75 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.25 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 70 درجه سانتیگراد
برند Dallas Semiconductor
پکیج DIP-28
Memory Size 64 kbit
Organization 8 k x 8
Access Time 200 ns
Data Bus Width 8 bit
Interface Type Parallel
Mounting Style Through Hole
Supply Voltage (Min) 4.75 V
Supply Voltage (Max) 5.25 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature 70 C°
Brand Dallas Semiconductor
Package DIP-28
سازمان 8 k x 8
زمان دسترسی 200 نانو ثانیه
عرض گذرگاه داده 8 بیت
انواع رابطها Parallel
نوع نصب روی برد Through Hole
کمترین ولتاژ تغذیه 4.75 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.25 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 70 درجه سانتیگراد
برند Dallas Semiconductor
پکیج DIP-28
Memory Size 64 kbit
Organization 8 k x 8
Access Time 200 ns
Data Bus Width 8 bit
Interface Type Parallel
Mounting Style Through Hole
Supply Voltage (Min) 4.75 V
Supply Voltage (Max) 5.25 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature 70 C°
Brand Dallas Semiconductor
Package DIP-28

