دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

RTC6691
RTC6691
فرکانس 2.5 گیگا هرتز
فن آوری SiGe
بهره تقویت 33.5 دسی بل
نوع Power Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 240 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 3.0 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 4.2 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند RichWave Technology.
پکیج QFN-16
Frequency 2.5 GHz
Technology SiGe
Gain 33.5 dB
Type Power Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 240 mA
Supply Voltage (Min) 3.0 V
Supply Voltage (Max) 4.2 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand RichWave Technology.
Package QFN-16
فن آوری SiGe
بهره تقویت 33.5 دسی بل
نوع Power Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 240 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 3.0 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 4.2 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند RichWave Technology.
پکیج QFN-16
Frequency 2.5 GHz
Technology SiGe
Gain 33.5 dB
Type Power Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 240 mA
Supply Voltage (Min) 3.0 V
Supply Voltage (Max) 4.2 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand RichWave Technology.
Package QFN-16