دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

RFHA1003
RFHA1003
فرکانس 512 مگا هرتز
بهره تقویت 16 دسی بل
فن آوری GaN
نوع Power Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 55 میلی آمپر
بیشترین ولتاژ تغذیه 32 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند RF Micro Devices
پکیج Module
Frequency 512 MHz
Gain 16 dB
Technology GaN
Type Power Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 55 mA
Supply Voltage (Max) 32 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand RF Micro Devices
Package Module
بهره تقویت 16 دسی بل
فن آوری GaN
نوع Power Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 55 میلی آمپر
بیشترین ولتاژ تغذیه 32 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند RF Micro Devices
پکیج Module
Frequency 512 MHz
Gain 16 dB
Technology GaN
Type Power Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 55 mA
Supply Voltage (Max) 32 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand RF Micro Devices
Package Module