دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

HMC476MP86
HMC476MP86
فرکانس 6 گیگا هرتز
بهره تقویت 20 دسی بل
فن آوری SiGe
شکل سیگنال 2.5 دسی بل
نوع Gain Block Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT نصب سطحی
جریان تامین 35 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه +5 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه +12 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند Hittite Microwave
پکیج MICRO X-4
Frequency 6 GHz
Gain 20 dB
Technology SiGe
NF-Noise Figure 2.5 dB
Type Gain Block Amplifier
Mounting Style SMD/SMT SMD/SMT
Supply Current 35 mA
Supply Voltage (Min) +5 V
Supply Voltage (Max) +12 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand Hittite Microwave
Package MICRO X-4
بهره تقویت 20 دسی بل
فن آوری SiGe
شکل سیگنال 2.5 دسی بل
نوع Gain Block Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT نصب سطحی
جریان تامین 35 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه +5 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه +12 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند Hittite Microwave
پکیج MICRO X-4
Frequency 6 GHz
Gain 20 dB
Technology SiGe
NF-Noise Figure 2.5 dB
Type Gain Block Amplifier
Mounting Style SMD/SMT SMD/SMT
Supply Current 35 mA
Supply Voltage (Min) +5 V
Supply Voltage (Max) +12 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand Hittite Microwave
Package MICRO X-4