دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

SGL 0622Z
SGL 0622Z
فرکانس 4 گیگا هرتز
فن آوری SiGe
بهره تقویت 16.5 دسی بل
شکل سیگنال 2.8 دسی بل
نوع Low Noise Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 10.5 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 2.7 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 3.6 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند RF Micro Devices
پکیج QFN-8
Frequency 4 GHz
Technology SiGe
Gain 16.5 dB
NF-Noise Figure 2.8 dB
Type Low Noise Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 10.5 mA
Supply Voltage (Min) 2.7 V
Supply Voltage (Max) 3.6 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand RF Micro Devices
Package QFN-8
فن آوری SiGe
بهره تقویت 16.5 دسی بل
شکل سیگنال 2.8 دسی بل
نوع Low Noise Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT
جریان تامین 10.5 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 2.7 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 3.6 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند RF Micro Devices
پکیج QFN-8
Frequency 4 GHz
Technology SiGe
Gain 16.5 dB
NF-Noise Figure 2.8 dB
Type Low Noise Amplifier
Mounting Style SMD/SMT
Supply Current 10.5 mA
Supply Voltage (Min) 2.7 V
Supply Voltage (Max) 3.6 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand RF Micro Devices
Package QFN-8