BFG196

فرکانس 7.5 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 12 ولت
جریان کلکتور 100 میلی آمپر
نوع پیکربندی 1
بهره تقویت 140 بتا
ولتاژ پایه امیتر 2 ولت
اتلاف قدرت 800 میلی وات
نوع Silicon RF Transistors
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Siemens Semiconductor Group
پکیج SOT-223
Frequency 7.5 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 12 V
DC Collector Current 100 mA
Configuration 1
Gain-hfe 140 (β)
Emitter-Base Voltage (VEBO) 2 V
Power Dissipation 800 mW
Type Silicon RF Transistors
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Siemens Semiconductor Group
Package SOT-223