دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

SST27SF512 70 3C PGE
SST27SF512 70 3C PGE
نوع اشتراک NOR
مقدار حافظه 512 کیلو بیت
سازمان 64k x 8
بیشترین فرکانس کاری 1 مگا هرتز
انواع رابطها Parallel
نوع نصب روی برد Through Hole
جریان تامین 30 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 4.5 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 70 درجه سانتیگراد
برند Silicon Storage Technology
پکیج DIP-28
Circuit Type NOR
Memory Size 512 kbit
Organization 64k x 8
Maximum Clock Frequency 1 MHz
Interface Type Parallel
Mounting Style Through Hole
Supply Current 30 mA
Supply Voltage (Min) 4.5 V
Supply Voltage (Max) 5.5 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature 70 C°
Brand Silicon Storage Technology
Package DIP-28
مقدار حافظه 512 کیلو بیت
سازمان 64k x 8
بیشترین فرکانس کاری 1 مگا هرتز
انواع رابطها Parallel
نوع نصب روی برد Through Hole
جریان تامین 30 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 4.5 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 5.5 ولت
حداقل دمای عملیاتی 0 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 70 درجه سانتیگراد
برند Silicon Storage Technology
پکیج DIP-28
Circuit Type NOR
Memory Size 512 kbit
Organization 64k x 8
Maximum Clock Frequency 1 MHz
Interface Type Parallel
Mounting Style Through Hole
Supply Current 30 mA
Supply Voltage (Min) 4.5 V
Supply Voltage (Max) 5.5 V
Minimum Operating Temperature 0 C°
Maximum Operating Temperature 70 C°
Brand Silicon Storage Technology
Package DIP-28