BFP540ESD

فرکانس 30 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 4 ولت
جریان کلکتور 80 میلی آمپر
نوع پیکربندی 1
بهره تقویت 170 بتا
ولتاژ پایه امیتر 1 ولت
اتلاف قدرت 250 میلی وات
نوع Silicon Bipolar RF Transistors
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Infineon Technologies
پکیج SOT-343 (SC-61)
Frequency 30 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 4 V
DC Collector Current 80 mA
Configuration 1
Gain-hfe 170 (β)
Emitter-Base Voltage (VEBO) 1 V
Power Dissipation 250 mW
Type Silicon Bipolar RF Transistors
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Infineon Technologies
Package SOT-343 (SC-61)