دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

HMC741ST89E
HMC741ST89E
فرکانس 3 گیگا هرتز
بهره تقویت 20 دسی بل
فن آوری GaAs InGaP
شکل سیگنال 2.5 دسی بل
نوع Gain Block Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT نصب سطحی
جریان تامین 96 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 5 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 5 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند Hittite Microwave
پکیج SOT-89
Frequency 3 GHz
Gain 20 dB
Technology GaAs InGaP
NF-Noise Figure 2.5 dB
Type Gain Block Amplifier
Mounting Style SMD/SMT SMD/SMT
Supply Current 96 mA
Supply Voltage (Min) 5 V
Supply Voltage (Max) 5 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand Hittite Microwave
Package SOT-89
بهره تقویت 20 دسی بل
فن آوری GaAs InGaP
شکل سیگنال 2.5 دسی بل
نوع Gain Block Amplifier
نوع نصب روی برد SMD/SMT نصب سطحی
جریان تامین 96 میلی آمپر
کمترین ولتاژ تغذیه 5 ولت
بیشترین ولتاژ تغذیه 5 ولت
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی +85 درجه سانتیگراد
برند Hittite Microwave
پکیج SOT-89
Frequency 3 GHz
Gain 20 dB
Technology GaAs InGaP
NF-Noise Figure 2.5 dB
Type Gain Block Amplifier
Mounting Style SMD/SMT SMD/SMT
Supply Current 96 mA
Supply Voltage (Min) 5 V
Supply Voltage (Max) 5 V
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature +85 C°
Brand Hittite Microwave
Package SOT-89