دستهبندی: نیمه هادی ها
MJE13007 ST
MJE13007 ST
ندارد - کالای اصل 🏅
توضیحات
نام قطعه: MJE13007(ST)
نام کارخانهای: MJE13007(ST)
تعداد در بسته: 50 عدد
برند: STMicroelectronics
پکیج: TO-220AB
بستهبندی: Tube
عنوان گروه: Bipolar Transistors - BJT
دیتاشیت: MJE13007(ST)
توضیحات: NPN-400V,8A,80W,4MHz Silicon Npn MultiEpitaxial Power Switching Transistor ; S-L, 400V, 8A, 80W, 4MHz
نام کارخانهای: MJE13007(ST)
تعداد در بسته: 50 عدد
برند: STMicroelectronics
پکیج: TO-220AB
بستهبندی: Tube
عنوان گروه: Bipolar Transistors - BJT
دیتاشیت: MJE13007(ST)
توضیحات: NPN-400V,8A,80W,4MHz Silicon Npn MultiEpitaxial Power Switching Transistor ; S-L, 400V, 8A, 80W, 4MHz
نقد و بررسی
تعداد کانال 1 کانال
منفی یا مثبت NPN قطب
جریان کلکتور 8 آمپر
ولتاژ کلکتور-امیتر 400 ولت
فرکانس 4 مگا هرتز
اتلاف قدرت 80 وات
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند STMicroelectronics
پکیج TO-220AB
Number of Channels 1 Channel
Polarity NPN Type
DC Collector Current 8 A
Collector Emitter Voltage (VCEO) 400 V
Gain Bandwidth Product (fT) 4 MHz
Power Dissipation 80 W
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand STMicroelectronics
Package TO-220AB
منفی یا مثبت NPN قطب
جریان کلکتور 8 آمپر
ولتاژ کلکتور-امیتر 400 ولت
فرکانس 4 مگا هرتز
اتلاف قدرت 80 وات
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند STMicroelectronics
پکیج TO-220AB
Number of Channels 1 Channel
Polarity NPN Type
DC Collector Current 8 A
Collector Emitter Voltage (VCEO) 400 V
Gain Bandwidth Product (fT) 4 MHz
Power Dissipation 80 W
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand STMicroelectronics
Package TO-220AB
نظرات
دستهبندی: نیمه هادی ها