دستهبندی: نیمه هادی ها
ترانزیستور FJP13009H2TU پکیج TO-220AB
FJP13009H2TU
ندارد - کالای اصل 🏅
توضیحات
نام قطعه: FJP13009H2TU
نام کارخانهای: FJP13009H2TU
تعداد در بسته: 50 عدد
برند: Fairchild Semiconductor
پکیج: TO-220AB
بستهبندی: Tube
عنوان گروه: Bipolar Transistors - BJT
دیتاشیت: FJP13009H2TU
توضیحات: NPN-400V,12A,100W,4MHz Silicon Npn MultiEpitaxial Power Switching Transistor ; S-L, 400V, 12A, 100W, 4M
نام کارخانهای: FJP13009H2TU
تعداد در بسته: 50 عدد
برند: Fairchild Semiconductor
پکیج: TO-220AB
بستهبندی: Tube
عنوان گروه: Bipolar Transistors - BJT
دیتاشیت: FJP13009H2TU
توضیحات: NPN-400V,12A,100W,4MHz Silicon Npn MultiEpitaxial Power Switching Transistor ; S-L, 400V, 12A, 100W, 4M
نقد و بررسی
تعداد کانال 1 کانال
منفی یا مثبت NPN قطب
ولتاژ کلکتور-امیتر 400 ولت
جریان کلکتور 12 آمپر
فرکانس 4 مگا هرتز
اتلاف قدرت 100 وات
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Fairchild Semiconductor
پکیج TO-220AB
Number of Channels 1 Channel
Polarity NPN Type
Collector Emitter Voltage (VCEO) 400 V
DC Collector Current 12 A
Gain Bandwidth Product (fT) 4 MHz
Power Dissipation 100 W
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Fairchild Semiconductor
Package TO-220AB
منفی یا مثبت NPN قطب
ولتاژ کلکتور-امیتر 400 ولت
جریان کلکتور 12 آمپر
فرکانس 4 مگا هرتز
اتلاف قدرت 100 وات
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Fairchild Semiconductor
پکیج TO-220AB
Number of Channels 1 Channel
Polarity NPN Type
Collector Emitter Voltage (VCEO) 400 V
DC Collector Current 12 A
Gain Bandwidth Product (fT) 4 MHz
Power Dissipation 100 W
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Fairchild Semiconductor
Package TO-220AB
نظرات
دستهبندی: نیمه هادی ها