MRF630

فرکانس 470 مگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 16 ولت
جریان کلکتور 1 آمپر
نوع پیکربندی 1
بهره تقویت 20
ولتاژ پایه امیتر 4 ولت
اتلاف قدرت 8.75 وات
نوع Silicon RF Power Transistors
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 200 درجه سانتیگراد
برند Advanced Semiconductor
پکیج TO-39
Frequency 470 MHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 16 V
DC Collector Current 1 A
Configuration 1
Gain-hfe 20
Emitter-Base Voltage (VEBO) 4 V
Power Dissipation 8.75 W
Type Silicon RF Power Transistors
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 200 C°
Brand Advanced Semiconductor
Package TO-39