دستهبندی: نیمه هادی ها
GT60M301
GT60M301
توضیحات
نام قطعه: GT60M301
نام کارخانهای: GT60M301
برند: Toshiba Corporation
پکیج: TO-264
بستهبندی: Tube
عنوان گروه: IGBT Transistors
دیتاشیت: GT60M301
توضیحات: IGBT-900V,60A,200W N-Channel Iso-Gate Bipolar Transistor(Igbt) ;L, 600V, 50A, 200W,Int. Fw Diode(E->C,<2,5وS)
نام کارخانهای: GT60M301
برند: Toshiba Corporation
پکیج: TO-264
بستهبندی: Tube
عنوان گروه: IGBT Transistors
دیتاشیت: GT60M301
توضیحات: IGBT-900V,60A,200W N-Channel Iso-Gate Bipolar Transistor(Igbt) ;L, 600V, 50A, 200W,Int. Fw Diode(E->C,<2,5وS)
نقد و بررسی
ولتاژ کلکتور-امیتر 900 ولت
جریان کلکتور 60 آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 2.3 ولت
نوع پیکربندی Single
حداکثر ولتاژ راه انداز امیتر 25 ولت
اتلاف قدرت 200 وات
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج TO-264
Collector Emitter Voltage (VCEO) 900 V
DC Collector Current 60 A
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.3 V
Configuration Single
Maximum Gate Emitter Voltage 25 V
Power Dissipation 200 W
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -55 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Toshiba Corporation
Package TO-264
جریان کلکتور 60 آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 2.3 ولت
نوع پیکربندی Single
حداکثر ولتاژ راه انداز امیتر 25 ولت
اتلاف قدرت 200 وات
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Toshiba Corporation
پکیج TO-264
Collector Emitter Voltage (VCEO) 900 V
DC Collector Current 60 A
Collector-Emitter Saturation Voltage 2.3 V
Configuration Single
Maximum Gate Emitter Voltage 25 V
Power Dissipation 200 W
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -55 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Toshiba Corporation
Package TO-264
نظرات
دستهبندی: نیمه هادی ها