دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

IHW30N100T
IHW30N100T
ولتاژ کلکتور-امیتر 1000 ولت
جریان کلکتور 60 آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 1.8 ولت
نوع پیکربندی Single
حداکثر ولتاژ راه انداز امیتر 20 ولت
اتلاف قدرت 412 وات
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد
برند Infineon Technologies
پکیج TO-247AD (TO-3P)
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1000 V
DC Collector Current 60 A
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration Single
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Power Dissipation 412 W
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature 175 C°
Brand Infineon Technologies
Package TO-247AD (TO-3P)
جریان کلکتور 60 آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 1.8 ولت
نوع پیکربندی Single
حداکثر ولتاژ راه انداز امیتر 20 ولت
اتلاف قدرت 412 وات
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد
برند Infineon Technologies
پکیج TO-247AD (TO-3P)
Collector Emitter Voltage (VCEO) 1000 V
DC Collector Current 60 A
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V
Configuration Single
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Power Dissipation 412 W
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature 175 C°
Brand Infineon Technologies
Package TO-247AD (TO-3P)