دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

IRGP35B60PD
IRGP35B60PD
ولتاژ کلکتور-امیتر 600 ولت
جریان کلکتور 60 آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 1.85 ولت
نوع پیکربندی Single
حداکثر ولتاژ راه انداز امیتر 20 ولت
اتلاف قدرت 308 وات
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Infineon Technologies
پکیج TO-247AD (TO-3P)
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600 V
DC Collector Current 60 A
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration Single
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Power Dissipation 308 W
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -55 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Infineon Technologies
Package TO-247AD (TO-3P)
جریان کلکتور 60 آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 1.85 ولت
نوع پیکربندی Single
حداکثر ولتاژ راه انداز امیتر 20 ولت
اتلاف قدرت 308 وات
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -55 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Infineon Technologies
پکیج TO-247AD (TO-3P)
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600 V
DC Collector Current 60 A
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.85 V
Configuration Single
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Power Dissipation 308 W
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -55 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Infineon Technologies
Package TO-247AD (TO-3P)