دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

MRF650
MRF650
فرکانس 520 مگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 16.5 ولت
جریان کلکتور 12 آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 70 بتا
ولتاژ پایه امیتر 4 ولت
اتلاف قدرت 50 وات
نوع Silicon RF Power Transistors
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Motorola
پکیج CASE 316–01
Frequency 520 MHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 16.5 V
DC Collector Current 12 A
Configuration Single
Gain-hfe 70 (β)
Emitter-Base Voltage (VEBO) 4 V
Power Dissipation 50 W
Type Silicon RF Power Transistors
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Motorola
Package CASE 316–01
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 16.5 ولت
جریان کلکتور 12 آمپر
نوع پیکربندی Single
بهره تقویت 70 بتا
ولتاژ پایه امیتر 4 ولت
اتلاف قدرت 50 وات
نوع Silicon RF Power Transistors
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Motorola
پکیج CASE 316–01
Frequency 520 MHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 16.5 V
DC Collector Current 12 A
Configuration Single
Gain-hfe 70 (β)
Emitter-Base Voltage (VEBO) 4 V
Power Dissipation 50 W
Type Silicon RF Power Transistors
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Motorola
Package CASE 316–01