دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

BFG198
BFG198
فرکانس 8 گیگا هرتز
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 10 ولت
جریان کلکتور 100 میلی آمپر
نوع پیکربندی 1
بهره تقویت 40
ولتاژ پایه امیتر 2.5 ولت
اتلاف قدرت 1 وات
نوع RF Bipolar Small Signal
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Philips Semiconductor
پکیج SOT-223
Frequency 8 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 10 V
DC Collector Current 100 mA
Configuration 1
Gain-hfe 40
Emitter-Base Voltage (VEBO) 2.5 V
Power Dissipation 1 W
Type RF Bipolar Small Signal
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Philips Semiconductor
Package SOT-223
منفی یا مثبت NPN قطب
فن آوری Si
ولتاژ کلکتور-امیتر 10 ولت
جریان کلکتور 100 میلی آمپر
نوع پیکربندی 1
بهره تقویت 40
ولتاژ پایه امیتر 2.5 ولت
اتلاف قدرت 1 وات
نوع RF Bipolar Small Signal
نوع نصب روی برد SMD/SMT
حداقل دمای عملیاتی -65 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 150 درجه سانتیگراد
برند Philips Semiconductor
پکیج SOT-223
Frequency 8 GHz
Polarity NPN Type
Technology Si
Collector Emitter Voltage (VCEO) 10 V
DC Collector Current 100 mA
Configuration 1
Gain-hfe 40
Emitter-Base Voltage (VEBO) 2.5 V
Power Dissipation 1 W
Type RF Bipolar Small Signal
Mounting Style SMD/SMT
Minimum Operating Temperature -65 C°
Maximum Operating Temperature 150 C°
Brand Philips Semiconductor
Package SOT-223