دستهبندی : نیمه هادی ها Semiconductors

IGP30N60H3
IGP30N60H3
ولتاژ کلکتور-امیتر 600 ولت
جریان کلکتور 60 آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 1.95 ولت
نوع پیکربندی Single
حداکثر ولتاژ راه انداز امیتر 20 ولت
اتلاف قدرت 187 وات
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد
برند Infineon Technologies
پکیج TO-220AB
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600 V
DC Collector Current 60 A
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Configuration Single
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Power Dissipation 187 W
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature 175 C°
Brand Infineon Technologies
Package TO-220AB
جریان کلکتور 60 آمپر
ولتاژ اشباع کلکتور-امیتر 1.95 ولت
نوع پیکربندی Single
حداکثر ولتاژ راه انداز امیتر 20 ولت
اتلاف قدرت 187 وات
نوع نصب روی برد Through Hole
حداقل دمای عملیاتی -40 درجه سانتیگراد
حداکثر دمای عملیاتی 175 درجه سانتیگراد
برند Infineon Technologies
پکیج TO-220AB
Collector Emitter Voltage (VCEO) 600 V
DC Collector Current 60 A
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.95 V
Configuration Single
Maximum Gate Emitter Voltage 20 V
Power Dissipation 187 W
Mounting Style Through Hole
Minimum Operating Temperature -40 C°
Maximum Operating Temperature 175 C°
Brand Infineon Technologies
Package TO-220AB